サムスン電子の半導体核心技術を中国に流出させた疑いを受けている同社の元社員が、拘束状態で裁判にかけられた。
4月2日、ソウル中央地検・情報技術犯罪捜査部（アン・ドンゴン部長検事）は、サムスン電子から中国のCXMT（長鑫存儲技術）へ転職したサムスン電子の元研究員チョン氏を、産業技術保護法違反（国家核心技術国外流出）などの容疑で拘束起訴したと明らかにした。
検察は4月14日、裁判所からチョン氏に対する拘束令状を発行され、身柄を確保した。
検察によると、チョン氏はサムスン電子から中国の半導体製造企業CXMTに転職した後、サムスン電子が1兆6000億ウォン（日本円＝約1629億5008万円）をかけて開発した18ナノDRAM工程の情報を無断で流出し、使用した疑いを受けている。
チョン氏はサムスン電子の元部長キム氏とともにCXMTに転職し、サムスン電子の技術を盗み出し、核心人材を採用する方式のCXMT内DRAM半導体開発計画を立てたことがわかった。
検察はキム氏に対する追加捜査を通じて今回の事件を確認した。
CXMTは、中国地方政府が2兆6000億ウォン（約2647億2134万円）を投資して設立した中国初のDRAM半導体企業だ。
彼らは、自分たちの犯行が発覚して出国禁止や逮捕された場合、グループチャットルームに暗号（ハート4つ）を残すことを事前に協議していた。
また、別の会社に転職するかのように偽装するなど、捜査に備えていたことも明らかになった。
検察は、彼らが中国にまったく異なる業種のペーパーカンパニーを設立し、その企業に転職するかのように外観を装い、実際にはCXMTで勤務していたと見ている。
チョン氏はCXMTから契約インセンティブ3億ウォン（約3054万円）、ストックオプション3億ウォンなど、約6年間で計29億ウォン（約2億9524万円）相当を受け取っていた。
この技術流出によって、サムスン電子の昨年の推定売上減少額だけでも数兆ウォンに達するなど、数十兆ウォンの損害が発生したことが把握された。
検察は、サムスン電子の内部資料を流出させた共犯者について、国際刑事警察機構（INTERPOL）を通じて追跡している。
検察は「被害企業と国家経済を脅かす技術流出犯罪に厳正に対応していく」と述べた。
（記事提供＝時事ジャーナル）
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